| Característica | CMOS | Bipolar |
|---|---|---|
| Estrutura do transistor | MOSFET (fonte, dreno, gate) | BJT (emissor, base, coletor) |
| Consumo de energia | Estática muito baixa | Maior (corrente contínua) |
| Velocidade/Frequência | Velocidades de circuito mais altas | Troca individual mais rápida, mas geral mais lenta |
| Imunidade ao ruído | Melhor (alta impedância de entrada) | Mais sensível |
| Densidade de integração | Maior (mais transistores/mm²) | Menor |
| Complexidade de fabricação | Mais complexo, processos maduros | Mais simples, menos etapas |
| Custo/Rendimento | Custo-efetivo, alto rendimento | Mais caro, menor rendimento |
O CMOS domina os ICs modernos devido a vantagens de potência, densidade e custo. O Bipolar permanece em aplicações RF/analógicas de nicho que precisam de alta velocidade de comutação.